韩国两大科技巨头三星电子与SK海力士宣布，将在未来十年联手推进一项规模空前的扩产计划，覆盖晶圆制造、AI数据中心及存储器生产等关键领域，总投资额预计高达1350万亿韩元，约合8700亿美元。这一行动旨在加速提升韩国在全球半导体与人工智能产业链中的话语权，正面应对来自台积电与英特尔等竞争对手的压力。
根据公开信息，此次扩产计划由韩国政府主导推进，被视为韩国半导体产业有史以来最大规模的投资项目。政府与企业的共同目标，是在五年内把存储器产能翻倍，大幅扩充DRAM与NAND Flash等存储芯片工厂，为当前全球内存市场持续紧张的供需局面注入新的产能。
在整体投资结构方面，三星电子与SK海力士的资金投入将覆盖多个关键环节，包括新建先进晶圆厂、打造全新AI数据中心，以及扩建电池与显示面板制造工厂，同时同步加码半导体制造设备能力。相关设备类别包括EUV光刻、蚀刻设备、光掩模（Photomask）、CMP（化学机械抛光）以及沉积（Deposition）设备等，目标是从上游工艺能力入手，全方位强化韩国本土半导体生产体系。
在具体分工上，SK海力士计划向清州生产基地投入约400万亿韩元，用于扩建现有工厂与新建生产线。同时，韩国西南地区也将获得约100万亿韩元的资金支持，用来打造全新的半导体生产集群，进一步形成区域化规模效应。在地方层面，忠清道（包括忠清南、北道）也将参与资金投入，预计贡献约100万亿韩元，用于构建全国性半导体制造枢纽。
按照双方与政府共同制定的十年路线图，三星与SK海力士计划在忠清南北地区建设4至5座新一代先进晶圆厂，全部为面向尖端制程和高带宽内存的“最先进工厂”。原定规划中，相关厂房与配套设施要到2040年以后才陆续投产，如今全面加速后，新目标时间点被提前至2033年前后，时间缩短近十年，凸显韩国在全球算力竞争与存储器市场压力下的紧迫感与决心。
韩国政府在说明中强调，此次扩产不仅是简单的产能增加，更是围绕AI算力、存储器供给与供应链安全展开的战略性布局。随着AI加速器对算力和内存需求持续飙升，DRAM和NAND等关键器件已出现长期供不应求的趋势，韩国希望通过这轮“史无前例”的投资，把自身定位为全球AI与存储器供应的核心枢纽。
市场分析认为，三星与SK海力士的联合扩产将对全球存储器产业格局带来深远影响，并可能对台湾以及其他地区的存储器厂商形成实质性压力。韩系厂商大规模扩充DRAM与NAND产能，有望在中长期抑制价格过度上涨，但也会加剧竞争，促使其他地区的企业提高警戒等级并重新评估资本支出计划。
对于韩国而言，这项总额逾1350万亿韩元的投资，不仅是一场产业升级工程，也是争夺下一代计算与AI技术主导权的关键一战。在政府强力推动、企业积极配合的背景下，韩国半导体产业正在借这次扩产计划，试图从“全球重要参与者”跃升为“全球主导力量”，在与台积电和英特尔的竞争中取得更为有利的战略位置。
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